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Transphorm推出参考设计组合加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发
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发布时间:2022-07-03 13:22作者:admin  来源:胜利体育 点击:

  公司内中以及配关开辟的七款准备用具可感觉45W至140W的 适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势

  高确实性、高性能氮化:镓(GaN);电源转换!产品的先驱和全球供给商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)星期三公告推出七款参考布置,旨在加速基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考安顿齐集包罗浅显的怒放式框架宗旨选项,覆盖多种拓扑布局、输出和功率(45W至140W)。

  电源适配器参考部署拣选SuperGaN第IV代650V FET,具有、安放轻巧、真实性;高和机能强劲的!优势,这些特“色一经成为,T”ransphorm氮化镓器件的?代名词。在比来的对比剖!析中,与175毫欧的e-mode氮化镓器件相比,Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度胜过75℃时涌现出更低的导通电阻上升幅度,并在50%和100%(全)功率下拥有更高的性能。

  ·(1x) 45W适配器参考方针采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构,可提供24 W/in3的功率密度

  ·(3x) ;65W适配器参考部署拣选ACF或QRF拓扑构造,可供应30 W/in3的功率密度

  ·(1x) 100W适配器参考策划采勤奋率因数订正(PFC)+QRF拓扑机闭,可供应18 W/in3的功率密度

  Transphorm的参考规划撮关还包罗两款开放框架的USB-C PD/PPS参考策画,频率领!域110到140 kHz。Transphorm与Diodes I。nc.配合开,发了这两款管束,安排,欺骗该公司的ACF限制器:完工了越过93.5%的:峰值效率。

  ·(1x) 65W适配,器参考计划采用ACF拓扑结构,可提供29 W/in3的功率密度

  Transphorm现场欺骗和技能发卖“副总裁Tushar Dhayagude默示:“Transphorm独具优势,可供应唯一能合用于平凡操纵的、涵盖浩大功率“水准的氮。化镓FET凑关。他的电源适配器参考部署凸显出他们的低功率才干。大家供给与局限器无合的PQFN和TO-220器件,可能极大!地简化布置。这些优势以及其所有人特征有助于客,户快速、轻易地将具有打破性功率服从程度的氮化镓处置规划推向阛阓。这正是Transphorm氮化镓器件的价格地点。”

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